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標題: [硬件] Intel悲劇！韓國搶先註冊3D晶體管專利 [打印本頁]

作者: ccw 時間: 2011-5-28 13:22 標題: Intel悲劇！韓國搶先註冊3D晶體管專利

據韓國電子新聞報導，日前英特爾(Intel)宣佈領先全球開發出的3D晶體管製程技術，韓國研究團隊早已開發完成。韓國向美國提出技術專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術，韓國將可獲得龐大的專利權使用收入。

首爾大學電機工程學系教授李鍾浩(譯名)表示，在韓國及美國持有與英特爾發表的3D晶體管製程技術tri-gateMOSFET相同的bulkFinFET相關技術專利。他表示，2項技術只有名稱不同，但應用的方式是相同的。

李鍾浩表示，從英特爾目前為止公開的資料來看，與韓國持有的專利技術完全相同，相關技術韓國已取得韓國境內及美國的專利權，並發表60多篇論文，在技術方面是已得到驗證的事實。

bulkFinFET技術2002年1月30日已在韓國申請專利，且於2003年8月成功登錄專利，接著2003年2月4日向美國申請專利，並於 2年後的2005年4月26日完成登錄，而英特爾則在晚李鍾浩10天的2003年2月14日，才提出tri-gateMOSFET專利申請。

英特爾發表的3D墊晶體製程技術可增加晶體管通道數量，增加電流量，電流流失與目前的2D晶體管相比顯著減少，大幅提升其效率。此外，此3D晶體管技術也適合用在微細製程，提升芯片集積度。

英特爾計劃將該計數應用在22納米量產製程中，進入行動裝置芯片市場。行動芯片需求持續增加，李鍾浩的專利技術若審核後確定為同樣的技術，將可獲得數量龐大的專利金。

bulkFinFET技術的美國專利及發明者皆登錄為李鍾浩，專利權則由專利營銷專門公司PNIB所持有，此外，該技術相關的多數應用技術也由李鍾浩及其所屬的首爾大學共同持有。李鍾浩當時提出相關技術專利申請後，曾邀請韓國企業進行共同開發，然當時因技術不具商業性為由遭拒。

李鍾浩表示，先申請專利者可獲得專利權法保護，而經過確認後，確實比英特爾更早提出專利申請，應沒有其它問題。為取得美國專利權保護，將會以英特爾為對象，與PNIB共同進入相關法律程序。

小編歪評：這一消息印證了一個「事實」，那就是蝦米都是韓國滴~

http://www.coolaler.com/showthread.php?t=265965

作者: qcmadness 時間: 2011-5-28 13:44

thief...

作者: dom 時間: 2011-5-28 18:34

引用:

原帖由 ccw 於 2011/5/28 13:22 發表
據韓國電子新聞報導，日前英特爾(Intel)宣佈領先全球開發出的3D晶體管製程技術，韓國研究團隊早已開發完成。韓國向美國提出技術專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術，韓國將可獲得龐大的專利權使用收入。

...

Intel 都是韓國人的

作者: dom 時間: 2011-5-28 18:35

引用:

原帖由 qcmadness 於 2011/5/28 13:44 發表
thief...

Rambus 都係用呢招

作者: ccw 時間: 2011-5-28 19:07

I wonder up to what extent will this affect the up-coming Ivy bridge,
if Bulldozer is so fierce that Sandy cannot stand, Intel will be in trouble.

作者: Henry 時間: 2011-5-28 20:59

引用:

原帖由 ccw 於 2011-5-28 19:07 發表
I wonder up to what extent will this affect the up-coming Ivy bridge,
if Bulldozer is so fierce that Sandy cannot stand, Intel will be in trouble.

If Bulldozer can beat SNB-E 8C/16T ver, then Intel will really be in trouble.

But Samsung.......

May be Intel will roll out 3D transistor 2nd gen and reg it earlier.

作者: qcmadness 時間: 2011-5-29 02:25

引用:

原帖由 Henry 於 2011-5-28 20:59 發表

If Bulldozer can beat SNB-E 8C/16T ver, then Intel will really be in trouble.
But Samsung.......

May be Intel will roll out 3D transistor 2nd gen and reg it earlier.

Intel is not God.
You cannot expect their manufacturing process to change dramatically.

作者: Henry 時間: 2011-5-29 03:24

引用:

原帖由 qcmadness 於 2011-5-29 02:25 發表

Intel is not God.
You cannot expect their manufacturing process to change dramatically.

Or Intel will sue KR back, as common practice.

And Intel should have something hiding which we cannot see this moment.....

作者: qcmadness 時間: 2011-5-29 08:10

引用:

原帖由 Henry 於 2011-5-29 03:24 發表

Or Intel will sue KR back, as common practice.

And Intel should have something hiding which we cannot see this moment.....

hiding bribing?

講笑

製程R&D閒閒地講緊5-6年, 有野唔講完全唔出奇
HK/MG用Hf都唔係個個知

但係今次埋韓國人真係玩野
Intel係implement, 佢地憑乜春要搶人patent

作者: Henry 時間: 2011-5-29 15:32

引用:

原帖由 qcmadness 於 2011-5-29 08:10 發表

hiding bribing?
講笑

製程R&D閒閒地講緊5-6年, 有野唔講完全唔出奇
HK/MG用Hf都唔係個個知

但係今次埋韓國人真係玩野
Intel係implement, 佢地憑乜春要搶人patent ...

只係KR今次有可能螳螂捕蟬,黃雀在後,想收Intel權利金果陣Intel搵番第二樣野咬返佢一口遮.

正是如此,可能申定"2015/2016年"既技術等KR踩蕉.

仲有Patent唔係你申先就係你既,一有撞就要拎返出來審死官.

(中國文化鬼佬唔識,被人申左呢個無得講.....

)

作者: qcmadness 時間: 2011-5-29 15:53

引用:

原帖由 Henry 於 2011-5-29 15:32 發表

只係KR今次有可能螳螂捕蟬,黃雀在後,想收Intel權利金果陣Intel搵番第二樣野咬返佢一口遮.
正是如此,可能申定"2015/2016年"既技術等KR踩蕉.

仲有Patent唔係你申先就係你既,一有撞就要拎返出來審死官 ...

無implementation係唔可以有patent的

作者: Henry 時間: 2011-5-29 17:29

引用:

原帖由 qcmadness 於 2011-5-29 15:53 發表

無implementation係唔可以有patent的

係實驗室可能做左出來,但未出街.....

3D晶體管KR做左出來未?

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