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標題: [智能電話] FW HTC One S 微弧氧化技術動眼看 [打印本頁]

作者: backspace-hk 時間: 2012-5-10 09:22 標題: FW HTC One S 微弧氧化技術動眼看

關於 HTC One S，除了它那 7.9mm 薄的機身和 Qualcomm S4 的高效能外，最多話題的相信就是其背蓋，除了是 HTC 一貫的一體成形設計外，其透過微弧氧化技術（Micro-Arc Oxidation）達成，接近陶瓷的手感，也讓人津津樂道。然而，除了官方釋出的一段影片，揭示了這背蓋的製作（實際上只有電擊部份）過程外，我們對其製作過程可說是一無所知。所以 HTC 這次就在其 CTIA 展位設置了一個專櫃，將 One S 的外殼由原塊金屬，經過切割，直到電擊後的樣子，每一個階段都讓我們看光光。有興趣的話可以看看圖庫，又或是跳轉後的影片 -- 不過影片是不包括電擊過程的，總不能把整個製程連機器都搬到展場吧 XD。

http://chinese.engadget.com/2012 ... on-process-eyes-on/

HTC響呢個video 00：43講話 MAO 唔係 coating，係 treatment。

http://www.youtube.com/watch?v=ZPZ7y1EDKvk

但已經有投訴話黑色面層出現剝落(chipping)， HTC回應會執翻正佢。

http://www.androidcentral.com/ht ... -fix-those-affected

作者: T12 時間: 2012-5-10 09:36

引用:

原帖由 backspace-hk 於 2012-5-10 09:22 發表
關於 HTC One S，除了它那 7.9mm 薄的機身和 Qualcomm S4 的高效能外，最多話題的相信就是其背蓋，除了是 HTC 一貫的一體成形設計外，其透過微弧氧化技術（Micro-Arc Oxidation）達成，接近陶瓷的手感，也讓人津津樂道。然而，除了官方 ...

點剝落法?睇唔到

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